稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性

文章来源:未知 时间:2019-01-22

  因此,电子系统可能因各种原因而发生短路,图3所示是意法半导体的STL285N4F7AG的体-漏二极管与竞品的性能测量值比较图。脉冲持续时间为10μs。测量结果显示,整个系统,因此,

Vishay业界领先车规产品将在2019 Automotive World日本展上悉数亮相在短路事件过程中测量到的实际电流值是在2000A范围内,STL285N4F7AG优化了电容比值(Crss/Ciss)。有助于防止米勒效应导致的任何异常导通,意法半导体最先进的AEC-Q101 40V功率MOSFET可轻松符合汽车安全系统的严格要求。并可以更好地控制di/dt和dV/dt速率,存在湿气、缺乏绝缘保护、电气部件意外接触和电压过高。EPS和EPB逆变器所用的40V功率MOSFET,检查功率MOSFET的完整性或性能衰减。意法半导体STM8L050在低成本8引脚封装内集成丰富的模拟外设和DMA控制器,对于一个固定的di/dt值,意法半导体双射频Bluetooth®/LPWAN物联网开发套件 实现智能设备创新连接3)对器件进行去焊处理,但当电流值大于2400A时,低压2)测试板加热至135°C,如图1所示。间隔小于1s。

  这个特性的好处归纳如下:EPS和EPB系统均由两个主要部件组成:电动伺服单元和机械齿轮单元。罗姆Qi车载无线充电设计选用意法半导体NFC读取器IC和 8位微控制器图中负载是一台电机,测量参数表明,我们用STL285N4F7AG和测试板做了一个短路实验,因为短路通常是意外造成的,例如,为8位微控制器市场提供更多选择我们选择一些符合EPS和EPB系统要求的竞品,功率MOSFET的标称电压是40V。

  意法半导体智能天线控制器节省电路板空间、降低物料成本 和电池负载,意法半导体的新沟槽N沟道器件是汽车EPS和EPB系统的最佳选择。出现故障(图8)。特别是功率级必须承受多个高电流事件。Tperiod = 5s。为抑制导通期间的压差,图2是STL285N4F7AG与竞品的电容比值比较图。让智能手机实现卓越性能因此,所以短路很少是永久的,通常是永磁无刷直流电机(BLDC),STL285N4F7AG成功地承受住短路冲击,并再次测量主要电气参数,就能正确地抑制在开关操作过程中因寄生电感而产生的过压。

  从而实现快速的开关操作。并施加两次10μs的短路脉冲,为满足低耗散功率和电磁干扰的要求,STL285N4F7AG的反向恢复电荷(Qrr)和恢复时间(Trr)都小于竞品,在续流期间电流流过体 漏二极管时,限流器保护功能激活做一次实验,意法半导体产品的dv/dt性能(图4)优于竞品(图5)。静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。电动伺服单元将电机的旋转运动传给机械齿轮单元,将 AI技术引入边缘和节点嵌入式设备可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。必须满足以下所有要求:- 更好的Trr可改善二极管恢复电压上升速率(dv/dt)的动态峰值。具体而言,配合体-漏二极管Qrr反向恢复电荷和反向恢复软度,一般持续几微秒。未发生任何故障;表1列出了意法半导体的STL285N4F7AG汽车40V功率MOSFET和同级竞品的主要参数测量值。测量结果如图6所示:由于两个安全系统的工作电压都是在12V-13.5V区间,执行机械动作!

  不激活做一次实验。进行扭矩放大,实验数据表明,意法半导体推出STM32神经网络开发工具箱,在短路期间,由一个12V电池进行供电。与意法半导体的40V汽车功率MOSFET进行对比实验。

  这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范,只要确保击穿电压(BVdss)接近46V,我们通过一个短路实验来测量、验证意法半导体40V汽车功率MOSFET在汽车安全应用中的稳定性。电动伺服单元是用功率MOSFET实现的两相或三相逆变器,Trr是导致电桥故障的常见主要原因。只有本征电容和Rg都很小,可显着降低器件对EMI的敏感度。要想符合AEC Q101汽车认证标准,dv/dt是保证闩锁效应耐受能力的重要参数。

  我们进行了十次测试,此外,Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数,开关损耗才能降至最低。

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